비소화 갈륨
(갈륨비소에서 넘어옴)
비소화 갈륨(Gallium arsenide, GaAs) 또는 갈륨비소는 갈륨과 비소로 구성된 화합물이다.
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_2%22_wafer.jpg) GaAs wafer of (100) orientation
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| 이름 | |
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| 우선명 (PIN)
Gallium arsenide | |
| 식별자 | |
3D 모델 (JSmol)
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| ChemSpider | |
| ECHA InfoCard | 100.013.741 |
| EC 번호 |
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| MeSH | gallium+arsenide |
PubChem CID
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| RTECS 번호 |
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| UNII | |
| UN 번호 | 1557 |
CompTox Dashboard (EPA)
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| 성질 | |
| GaAs | |
| 몰 질량 | 144.645 g/mol[1] |
| 겉보기 | Gray crystals[1] |
| 냄새 | garlic-like when moistened |
| 밀도 | 5.3176 g/cm3[1] |
| 녹는점 | 1,238 °C (2,260 °F; 1,511 K)[1] |
| insoluble | |
| 용해도 | soluble in HCl insoluble in 에탄올, 메탄올, 아세톤 |
| 띠간격 | 1.441 eV (at 300 K)[2] |
| 전자 이동도 | 9000 cm2/(V·s) (at 300 K)[2] |
자화율 (χ)
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-16.2×10-6 cgs[3] |
| 열전도율 | 0.56 W/(cm·K) (at 300 K)[4] |
굴절률 (nD)
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3.3[3] |
| 구조[4] | |
| Zinc blende | |
| T2d-F-43m | |
a = 565.315 pm
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| Tetrahedral | |
| Linear | |
| 위험 | |
| 물질 안전 보건 자료 | External MSDS |
| GHS 그림문자 | 
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| 신호어 | 위험 |
| H350, H372, H360F | |
| P261, P273, P301+310, P311, P501 | |
| NFPA 704 (파이어 다이아몬드) | |
| 관련 화합물 | |
다른 음이온
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질화 갈륨 Gallium phosphide Gallium antimonide |
달리 명시된 경우를 제외하면, 표준상태(25 °C [77 °F], 100 kPa)에서 물질의 정보가 제공됨.
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GaAs 태양전지는 태양에너지를 전기로 바꿔주는 광변환 효율이 40%로서, 실리콘 태양전지(16%)보다 두 배 이상 효율이 높다.[5]
1980년대 초반에 갈륨비소 태양전지의 효율이 실리콘 태양전지 효율을 처음으로 뛰어넘었고, 1990년대 이르러서는 인공위성에 쓰이는 값싼 실리콘 태양전지를 값비싼 갈륨비소 태양전지로 대체하였다.[6]
갈륨비소 태양전지는 실리콘 태양전지보다 훨씬 작게 만들 수 있고 원재료 사용량도 획기적으로 줄일 수 있다.[7] 갈륨비소는 실리콘에 비해 신호처리 속도가 6배가량 빠르고 전력 소모량은 3분의 1 수준이지만, 가격은 실리콘 웨이퍼에 비해 15배가량 높다.[8]
아이폰 등 현재의 스마트폰은 대규모집적회로(LSI), 갈륨비소(GaAs) 반도체, 리튬이온 배터리가 없었다면 불가능한 제품이다.[9]
각주 편집
- ↑ 가 나 다 라 Haynes, p. 4.64
- ↑ 가 나 Haynes, p. 12.90
- ↑ 가 나 Haynes, p. 12.86
- ↑ 가 나 Haynes, p. 12.81
- ↑ 2010년 인공위성에 국산 웨이퍼 이용한 태양전지 설치된다, 전자신문, 2009.07.23.
- ↑ [알아봅시다] GaAs(갈륨비소) 반도체, 디지털타임스, 2008.09.17.
- ↑ 샤프, 최고 효율 '태양전지' 개발, 전자신문, 2006-11-07
- ↑ [부품소재, 우리도 할 수 있다] (4) 네오세미테크 … 갈륨비소 반도체 국산화, 한국경제, 2006-05-03
- ↑ 포브스, "제2의 애플, 잡스는 계속 나올것", 파이낸셜뉴스, 2011.10.16.