2013년 3월 10일 (일) 10:49 판 편집 Addbot (토론 \| 기여) 100,019 편집 잔글 봇: 인터위키 링크 25 개가 위키데이터의 d:q176110 항목으로 옮겨짐 ← 이전 편집		2013년 6월 12일 (수) 21:59 판 편집 편집 취소 KTX046 (토론 \| 기여) 75 편집 편집 요약 없음 다음 편집 →
1번째 줄: [[파일:IGBT_symbol.gif\|right\|thumb\|164px\|기호]] '''절연 게이트 양극성 트랜지스터'''(Insulated ~~gate~~Gate ~~bipolar~~Bipolar ~~transistor~~Transistor, '''IGBT''')는 [[금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터]] (MOSFET)을 게이트부에 짜 넣은 [[접합형 트랜지스터]]이다. 게이트-이미터간의 전압이 구동되어 입력 신호에 의해서 온/오프가 생기는 자기소호형이므로, 대전력의 고속 스위칭이 가능한 [[반도체 소자]]이다. == 구조 == [[파일:IGBT 3300V 1200A Mitsubishi.jpg\|right\|thumb\|164px\|미쓰비시제 IGBT모듈]] [[파일:IGBT cross section.svg\|thumb\|164px\|플래너 게이트형 IGBT의 단면구조]] N채널 종형 MOSFET의 드레인 측에 P 콜렉터를 추가한 구조이다. P 콜렉터로부터의 [[정공]](正孔, ~~hole~~Hole)의 주입에 의해, N 베이스층의 [[도전율]]변조(導電率変調)가 일어나 저항이 저하한다. 때문에, MOSFET과 비교하면 고전압용에 적합하다. 한편, 주입한 캐리어의 소멸에 시간이 걸리기 때문에 턴오프 시간이 길어진다. === 펀치스루(Punch Through)형 === 1980년대부터 제조되고 있는 것이다. 오프시에 공지층(空乏層, ~~depletion~~Depletion ~~layer~~Layer)이 콜렉터측에 접촉하고 있는 것이며, 에피텍셜 웨이퍼를 사용해 콜렉터측으로부터 캐리어를 고농도로 주입하여 라이프타임 컨트롤을 실시하는 설계이다. 특징은 다음과 같다.

절연 게이트 양극성 트랜지스터: 두 판 사이의 차이