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1번째 줄: [[Image:IGBT_symbol.gif\|right\|thumb\|164px\|IGBT symbol]] [[Image:IGBT 3300V 1200A Mitsubishi.jpg\|right\|thumb\|164px\|미츠비시제 IGBT모듈]] [[Image:IGBT cross section.svg\|thumb\|164px\|플래너 게이트형 IGBT의 단면구조]] '''절연 게이트 양극성 트랜지스터'''(Insulated gate bipolar transistor, '''IGBT''')는 [[금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터]] (MOSFET)을 게이트부에 짜 넣은 [[접합형 트랜지스터]]이다. 게이트-이미터간의 전압이 구동되어 입력 신호에 의해서 온/오프가 생기는 자기소호형이므로, 대전력의 고속 스위칭이 가능한 [[반도체 소자]]이다.

절연 게이트 양극성 트랜지스터: 두 판 사이의 차이