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1번째 줄: [[Image:IGBT_symbol.gif\|right\|thumb\|164px\|IGBT symbol]] [[Image:IGBT 3300V 1200A Mitsubishi.jpg\|right\|thumb\|164px\|미츠비시제 IGBT모듈]]▼ [[Image:IGBT cross section.svg\|thumb\|164px\|플래너 게이트형 IGBT의 단면구조]]▼ '''절연 게이트 양극성 트랜지스터'''(Insulated gate bipolar transistor, '''IGBT''')는 [[금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터]] (MOSFET)을 게이트부에 짜 넣은 [[접합형 트랜지스터]]이다. 게이트-이미터간의 전압이 구동되어 입력 신호에 의해서 온/오프가 생기는 자기소호형이므로, 대전력의 고속 스위칭이 가능한 [[반도체 소자]]이다. == 구조 == ▲[[Image:IGBT 3300V 1200A Mitsubishi.jpg\|right\|thumb\|164px\|미츠비시제 IGBT모듈]] ▲[[Image:IGBT cross section.svg\|thumb\|164px\|플래너 게이트형 IGBT의 단면구조]] N채널 종형 MOSFET의 드레인 측에 P 콜렉터를 추가한 구조이다. P 콜렉터로부터의 [[정공]](正孔, hole)의 주입에 의해, N 베이스층의 [[도전율]]변조(導電率変調)가 일어나 저항이 저하한다. 때문에, MOSFET과 비교하면 고전압용에 적합하다. 한편, 주입한 캐리어의 소멸에 시간이 걸리기 때문에 턴오프 시간이 길어진다.

절연 게이트 양극성 트랜지스터: 두 판 사이의 차이