식각: 두 판 사이의 차이
내용 삭제됨 내용 추가됨
편집 요약 없음 |
|||
1번째 줄:
{{기본정렬:}}{{인쇄의 역사}}
'''에칭'''({{lang|en|etching}})은 [[화학]][[약품]]의 [[부식]]작용을 응용한 [[소형]](塑型)이나 [[표면가공]]의 방법이다. 흔히 '''식각'''(蝕刻)이라고도 한다. 사용하는 소재에서 필요한 부위만 [[방식]](防蝕) 처리를 한 후 부식시켜서 불필요한 부분을 제거하여 원하는 모양을 얻는다.
13번째 줄:
[[반도체공학]] 분야는 [[웨이퍼]]의 반도체 박막을 형상가공하는 기술에 응용되고 있다. 반도체 웨이퍼에 산화박막을 형성해서 [[포토레지스트]]({{lang|en|photoresist}})로 패턴을 형성한 후 에칭으로 불필요한 박막을 제거한다. 에칭의 기법은 [[플루오린화 수소산|불산]] 액체를 사용하는 [[습식 식각]](웨트 에칭)과 [[4불화 메탄]]({{lang|en|tetrafluoromethane}}) 가스를 사용하는 [[건식 식각]](드라이 에칭)이 있다.
동일하게 [[인쇄 회로 기판]]의 배선 형성을 위해 도체(동박)을 제거하기 위한 공정에도 이용된다.
== 기타==
|