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{{중앙 처리 장치 정보
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| 장치명칭 = 크라이트
'''크래이트 아키텍처'''(Krait architecture)는 2012년에 공개된 [[퀄컴]]의 [[RISC]] 프로세서이다.
| 생산시작 = 2012년
| 제조사1 = [[퀄컴]]
| 코어수 = 2, 4
}}
'''크라이트'''(Krait)는 [[퀄컴]] [[스냅드래곤]] S4 및 스냅드래곤 400, 600, 800 SoC 중 일부 모델에 사용되는 ARM 기반 프로세서이다. 2012년에 [[스콜피온]]의 후속작으로 공개되었으며, ARMv7 명령어 집합을 지원하며 ARM Cortex-A15와 비슷한 아키텍처를 갖는다.
 
== 특징 ==
과거의 스콜피온 CPU에 비해서 파이프라인의 구조가 11단계로 변경되었고, 3중 디코드 및 4중 비순차 예측 실행 수퍼스칼라 아키텍처를 채택하였다. 부동 소숫점 연산 장치(FPU)도 기존의 파이프라인 VFPv3에서 VFPv4로 변경되었고 128비트 NEON 명령을 지원한다.<ref>{{cite web | url=http://www.anandtech.com/show/5559/qualcomm-snapdragon-s4-krait-performance-preview-msm8960-adreno-225-benchmarks/2 | title=Qualcomm Snapdragon S4 (Krait) Performance Preview - 1.5 GHz MSM8960 MDP and Adreno 225 Benchmarks | publisher=[[Anandtech]] | date=February 21, 2012 | author1=Brian Klug | author2=Anand Lal Shimpi | accessdate=2013-07-28}}</ref> L0 캐시는 4+4KB 다이렉트 매핑, L1 캐시는 16+16KB 4-way, L2 캐시는 8-way 1MB(듀얼코어) 및 2MB(쿼드코어)로, 스콜피온의 256/512KB에 비해서 4배 증가하였다. 프로세서의 제조 공정은 [[TSMC]]의 28nm LP 및 HPm(Krait 400 이후)을 채택하였다. Krait 400 이후 프로세서는 이전에 비해서 최고 클럭이 높아졌다.
[[ARM 홀딩스]]의 [[ARMv7]] 명령어 세트를 기반으로 만들어졌다.
 
스콜피온 아키텍처와 마찬가지로 소비전력을 감소 시키기 위하여 비동기 코어 제어 방식을 채택하였으며, 각 코어의 클럭 속도는 부하에 따라 능동적으로 조절된다. Krait 300 아키텍처에서는 L2 캐시에 하드웨어적 [[Data Prefetcher]]가Prefetcher가 도입되었으며 분기 예측이 향상되어 단일 스레드에서의 IPC(클럭 당 명령어 처리)가 향상되었다. 그 결과 부동소수점 성능과 자바스크립트 성능에서성능이 눈에 띄는 향상을 이끌어냈다향상되었다.<ref>{{웹 인용
기존 [[스콜피온 아키텍처]]에 대해 문제가 제기되어 왔던 FPU(부동 소수점 연산 유닛)이 VFPv3 에서 VFPv4 로 교체 되었다.
 
또한 L2 캐시가 512KB 에서 1MB(모델에 따라 2MB)로 증가 하였으며 3개 실행경로를 갖춘 [[OoO]](Out or Order, 비순차 실행 방식)으로 바뀌었다.
 
제조 공정역시 [[TSMC]]사의 28nm LP 로 발전하여 발열 및 소비전력이 감소하였다.
 
[[스콜피온 아키텍처]]와 마찬가지로 소비전력을 감소 시키기 위하여 비동기 코어 제어 방식을 채택하였으며, 각 코어의 클럭 스피드는 부하에 따라 능동적으로 조절된다.
 
크래이트 아키텍처는 200/300/400/450으로 다시 분류되며, 크래이트 200은 스냅드래곤 S4 플러스/프로, 스냅드래곤 400 일부 제품군에,
크래이트 300은 스냅드래곤 S4 프로, 400 일부/600 제품군에,
크래이트 400은 스냅드래곤 800,
크래이트 450은 스냅드래곤 805 제품군에 적용된다.
 
Krait 300 아키텍처에서는 L2 캐시에 하드웨어적 [[Data Prefetcher]]가 도입되었으며 분기 예측이 향상되어 단일 스레드에서의 IPC(클럭 당 명령어 처리)가 향상되었다. 그 결과 부동소수점 성능과 자바스크립트 성능에서 눈에 띄는 향상을 이끌어냈다.<ref>{{웹 인용
|url=http://www.anandtech.com/show/6568/qualcomm-krait-400-krait-300-snapdragon-800
|제목=Qualcomm's Next-Gen Krait 400 & Krait 300 Announced in Snapdragon 800 & 600 SoCs
|확인일자=2013-09-30}}</ref>
 
여러 종류의 파생형이 있으며 각각의 특징은 다음과 같다.
Krait 400 아키텍처에서는 [[TSMC]]사의 28nm HPm 제조공정을 채택하여 최대클럭을 2.3GHz 까지 끌어올렸다.
 
* Krait: S4 Plus 및 Prime에 적용되었다. 제조 공정은 28nm이며 성능은 3.3DMIPS/MHz이다.
그 결과 [[DMIPS]](명령어 처리 능력)이 2.1 DMIPS/MHz (Scorpion 기준) 에서 Krait 200아키텍처는 3.1 DMIPS/MHz 로, Krait 300,400 아키텍처는 3.4 DMIPS/MHz 까지 증가하였다.<ref>[http://www.linleygroup.com/newsletters/newsletter_detail.php?num=4920 News In Brief: Krait 300 Bumps Up Performance]</ref>
* Krait 200: S4 Pro, 400 일부 제품군에 적용되었다. 제조 공정은 28nm이며 성능은 3.1DMIPS/MHz이다.
* Krait 300: S4 Pro, 400 일부 및 600 제품군에 적용되었다. 제조 공정은 28nm이며 성능은 3.39DMIPS/MHz이다.<ref>{{cite web | url=http://www.linleygroup.com/newsletters/newsletter_detail.php?num=4920 | title=Krait 300 Bumps Up Performance | work=Linley on Mobile | publisher=The Linley Group | date=December 18, 2012 | author=Linley Gwennap | accessdate=2013-07-28}}</ref>
* Krait 400: 800 제품군에 적용되었다. 제조 공정은 28nm이며 성능은 3.39DMIPS/MHz이다.
* Krait 450: 805 제품군에 적용되었다. 제조 공정은 20nm이며 성능은 3.51DMIPS/MHz이다.
 
== 참고/주석 ==

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