CMOS: 두 판 사이의 차이

'''상보성 금속 산화막 반도체'''({{llang|en|Complementary Metal Oxide Semiconductor}})는 [[집적 회로]]의 한 종류로, [[마이크로프로세서]]나 [[SRAM]] 등의 [[디지털 회로]]를 구성하는데구성하는 데에 이용된다. 줄여서 '''CMOS''' ({{llang|ko|시모스}})라고도 한다.

P채널과P N채널의채널과 N 채널의 [[전계효과 트랜지스터|MOSFET]]을 상호 보완하여 연결한 [[집적 회로]]의 구조이다. [[트랜지스터-트랜지스터 논리|TTL 논리 소자]]와에 비교해서비해 소비전력이소비 전력이 적은 [[논리 회로]]를 구현할수구현할 수 있고, 집적도를 향상시키는것이향상시킬 수 가능하다있다.

MOSFET의 동작 영역에서 직류 전달 특성은 선형 영역에서 출력 전압이 입력 전압과 거의 같고, 포화 영역에서 출력 전압은 게이트 전압에서 「문턱 전압」을 뺀 값이 된다. P-MOSFET가 포화 영역일때영역일 때 N-MOSFET는 선형 영역이고, N-MOSFET가 포화 영역일때 P-MOSFET는 선형 영역이다. 시모스의 동작 영역의 대부분은 선형 영역이다. 엄밀하게 양자의 「문턱 전압」이 겹치는 영역이 존재기 때문에존재하므로, 사용하지 않는 입력 단자는 「문턱 전압」 영역에 들어가지 않도록 풀업 또는 풀다운에 연결해 주는것이주는 것이 좋다.

시모스 구조로 하면구조에서 게이트 전압에 입력되는 제어 펄스를 "1"에서 "0"으로 변경했을 경우에 노이즈 없이 이전의 출력을 할수할 수 있고, "0"에서 "1"로 변경했을 경우 역시 노이즈 없이 입력 신호를 출력할 수 있다.

시모스 구조의 논리 회로는 전원 전압을 낮게 하면 소비 전력이 적은 반면, 전달 지연 시간이 커지는 특성을 가지고 있다. 제조 프로세서의프로세서가 개선에개선되어 의하여낮은 저전압전압의 동작과 고속 동작을 할 수 있게 되었다.

1990년대가 되면서 [[반도체 메모리]]나 [[마이크로프로세서]]의 논리 [[집적 회로|IC]]는 대부분 시모스 구조가 되었으며 , 소규모작은 규모 [[전원 회로]], [[아날로그-디지털 변환회로]], [[디지털-아날로그 변환회로]]등을 포함되어서등이 포함되어 제작하기 시작하였다.

단일 전원으로 시모스 레벨의수준의 입출력 인터페이스로 통일된 집적회로 이다집적회로이다. (74HCT나 74ACT처럼 입력 논리 레벨을수준을 [[트랜지스터-트랜지스터 논리|TTL]]에 맞춘 형태도 있음.)

==그외그 예시밖의 예==

*이미지 디바이스장치 분야에서는 [[시모스 이미지 센서]]를 줄여서 시모스라고 하는 경우가 있다. 기존에 대중화된 CCD를 대체하게 되었다.

*[[개인용 컴퓨터]]나 [[워크스테이션]]과 같은 소규모작은 규모의 컴퓨터 세계에서는세계에서 현재 시간이나 하드웨어 정보([[BIOS]]라고 함)를 보관보관하고 유지하기위해유지하기 사용하는위해 쓰이는 비휘발성 메모리를 시모스 램, 또는 단순히 시모스라고 하는 경우도 있고 보관되어 있는 데이터 자체를 시모스라고 하기도 한다. 예를 들자면들어 「메인보드가 동작하지 않을때않을 때 CMOS를 클리어 한다초기화한다」라는 표현이 사용된다.