진성 반도체: 두 판 사이의 차이

도핑된 경우에 [[페르미 준위]]는 도너 준위나 억셉터 준위 근처에 존재하지만, 진성 반도체는 [[띠간격]]의 띠 중앙에 위치한다. 전도띠의 에너지를 <math>E_C</math>, 원자가띠의 에너지를 <math>E_V</math>, [[전자]]와 [[정공|홀]]의 [[유효질량]]을 <math>m_e</math>, <math>m_h</math>라고 했을 때 진성 반도체의 페르미 준위의 에너지 <math>E_i</math>는

:<math>E_i= {{E_C+E_V} \over 2}+ {1 \over 2}kT \ln {N_V \over N_C}={{E_C+E_V} \over 2}+ {4 \over 3}kT \ln {m_h \over m_e}</math>

 

===캐리어 이동도===