2015년 11월 15일 (일) 19:10 판 편집 1.210.79.168 (토론) 오타 고침 태그: m 모바일 앱 ← 이전 편집		2016년 2월 12일 (금) 03:04 판 편집 편집 취소 Ykhwong (토론 \| 기여) 인터페이스 관리자, 관리자 721,544 편집 편집 요약 없음 다음 편집 →
15번째 줄: :<math>G= \sigma \frac{A}{\ell}.</math> 로서 계산계산될 될수수 있다. 여기서 l은 미터로 측정되는 도체의 길이 이고 A는 제곱미터로 측정되는 도체의 단면적이다. σ는 1미터당 [[지멘스]]로 측정되는 전도성이고 ρ는 미터 옴으로 측정되는 물질의 전기 저항이다. 저항률과 전도도는 연속적으로 비례하므로 도선이 만들어진 물질로만 결정되고 선의 기하학적 구조로는 결정되지 않는다. 저항률과 전도도는 역수관계이다: (ρ=1/σ). 저항률은 전류와 반대되게 측정되는 물질의 성질이다. 이 수식은 도체 내의 전류밀도가 모두 일정하다고 가정하고 있기 때문에 항상 실제상황에 부합하지는 않는다. 그러나 이 공식은 도선같은 긴 전도체에서는 거의 근사치를 보여준다. 이 공식이 일치하지 않는 다른 상황은 교류전류가 흐를 때 인데, 표피효과가 도체 중심 주변부의 전류의 흐름을 방해하기 때문이다. 그래서 기하학적 단면과 효율적 단면이 달라져서, 저항이 기댓값 보다 높아진다. 이와 유사하게 두 개의 전도체가 교류를 가지고 가까이 있으면 근접효과로 저항값이 증가하게 된다. 상용되는 전력교류주파수 에서는 이 효과가 전력변전소의 부스바(busbar) 또는 수백 암페어 이상의 고전력 케이블 등과 같이 높은 전류를 운반하는 큰 도체들 사이에서 크게 나타난다.

전기 전도체: 두 판 사이의 차이