동적 램: 두 판 사이의 차이
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'''동적 램'''(動的 RAM) 또는 '''디램'''(DRAM)은 임의 접근 기억 장치([[램]], Random Access Memory)의 한 종류로 [[정보]]를 구성하는 개개의 [[비트]]를 각기 분리된 [[축전기]](Capacitor)에 저장하는 [[기억 장치]]이다. 각각의 축전기가 담고 있는 [[전자]]의 수에 따라 비트의 1과 0을 나타내지만 결국 축전기가 전자를 누전하므로 기억된 정보를 잃게 된다. 이를 방지하기 위해 기억 장치의 내용을 일정 시간마다 재생시켜야 되는 것을 일컬어 ‘동적(Dynamic)’이란 명칭이 주어졌다. 정보를 유지하려면 지속적인 전기 공급이 필요하기 때문에 DRAM은 휘발성 기억 장치(Volatile Memory)에 속한다.
== 역사 ==
[[제2차 세계 대전]] 기간 중 [[블레츨리 파크]]에서 사용된, 코드명 Aquarius라는 [[암호 해독]] 머신은 고정 배선 형태의 동적 메모리를 장착하였다.
1964년, IBM에서 일하던 아놀드 파버와 유진(Eugene Schlig)은 [[트랜지스터]] 게이트와 [[에사키 다이오드|터널 다이오드]] [[플립플롭|래치]]를 이용하여 고정 배선 형태의 [[메모리 셀]]을 만들었다. 래치를 두 개의 트랜지스터와 두 개의 레지스터로 대체하였으며, 이 구성은 Farber-Schlig 셀로 부른다. 1965년 IBM에서 벤자민 아구스타와 그의 팀은 이 Farber-Schlig 셀을 기반으로한 16비트 실리콘 메모리 칩을 만들었으며, 여기에 80개의 트랜지스터, 64개의 레지스터, 4개의 다이오드가 포함되어 있었다. 1966년 [[로버트 H. 데나드]] 박사가 IBM [[IBM 왓슨 연구소|왓슨 연구소]]에서 DRAM을 발명하였다. 그는 1968년 [http://patft1.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?patentnumber=3387286 3,387,286] 미국 특허를 받았다.
== 일반적인 디램의 형식 ==
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