절연 게이트 양극성 트랜지스터: 두 판 사이의 차이
내용 삭제됨 내용 추가됨
잔글 봇: 영어 위키백과 참고하여 {{Authority control}} 추가 |
|||
13번째 줄:
특징은 다음과 같다.
* 에피텍셜 웨이퍼를 사용하기 때문에 가격이 비싸다.
* 라이프타임 컨트롤 때문에, 고온에서 스위칭 손실이 증가한다.
* 고온으로 On 전압이 저하(전기저항이 저하)하여, 병렬 사용시에 특정 소자에 전류가 집중되어 파손 원인이 되기도 한다.
* 최근에는 웨이퍼의 두께를 얇게 하여 콜렉터측의 주입을 억제하는 것을 통해 상기의 결점을 극복한 것이 개발되어 있다.
23번째 줄:
특징은 다음과 같다.
* 플로팅 존 웨이퍼를 사용하기 때문에 가격이 저렴하고, 결정(結晶)결함이 적어 신뢰성이 높다.
* 고온에서 On 전압이 상승(전기저항이 상승)하여, 전류 분포가 균일하게 되므로 병렬 사용에 유리하다.
* 2000년대부터, 트렌치 게이트 구조나 콜렉터측에 필드스톱층을 형성한, 보다 On 전압이 낮고 스위칭 손실도 적은 것도 제조되고 있다.
32번째 줄:
쌍방향 스위칭을 구성할 경우, 역내압을 갖게 하기 위한 다이오드가 불필요해진다. 소자 수의 저감에 의해 저비용화와 소형화·경량화가 가능해진다. 또, On 전압의 반감을 기대할 수 있다. 교-교 직접 변환용 소자로서 2004년 현재 개발중이다.
* 메사형
* 분리 저지형
== 용도 ==
* 대전력 [[인버터]]의 주변환 소자
** [[무정전 전원 장치]]
** [[유도전동기|교류전동기]]의 [[가변전압 가변주파수 제어]](철도차량용 등)
** [[하이브리드 카]]
** [[유도가열]]
50번째 줄:
* [[전력 전자공학]]
{{Authority control}}
{{토막글|기술}}
| |||