트랜지스터: 두 판 사이의 차이

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=====1. 베이스 바이어스(고정 바이어스)=====
[[Image파일:Fixed bias.PNG|thumb|right|Fixed bias (Base bias)]]
 
이러한 바이어싱을 베이스 바이어스 혹은 고정 바이어스 라고 부른다. 오른쪽의 예시 그림을 보면, 단일의 전력원 (베터리)이 콜렉터와 베이스에 사용된다.
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=====2. 전압 분배 바이어스=====
'''[[File파일:전압 분배 바이어스.JPG|thumb|전압 분배 바이어스]]'''
전압 분배라는 것은 외부 저항 R<sub>1</sub> 과 R<sub>2</sub> 를 사용하는 것이다. 저항 R<sub>2</sub>에 걸리는 전압은 이미터 접합에서 순방향 바이어스 이다. 저항 R<sub>1</sub> 과 R<sub>2</sub>를 잘 선택함에 따라, 트랜지스터의 작동점을 β에 무관하게 만들 수 있다. 이 회로에서, 전압 분배기는 베이스 전압을 베이스 전류에 관계없이 고정시키는 역할을 한다. 하지만 베이스 전압이 고정되어 있어도 컬렉터 전류는 온도 등에 따라 바뀌게 된다. 그러므로 Q-point를 안정화 시키기 위해 이미터 저항을 추가한다.(옆의 회로 또한 마찬가지이다)
 
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====== 커패시터가 추가된 전압 분배 바이어스 ======
[[Image파일:Voltage divider with cap.PNG|thumb|right|커패시터가 포함된 전압 분배 회로]]
위에서 언급된 일반적인 전압 분배 회로는 몇가지 단점을 가지고 있다. 가장 큰 문제로는 저항에 의해 생긴 AC 피드백인 이득(gain)값을 낮춘다는 것이다. 이걸 해결하기 위해 저항 R<sub>E</sub>과 병렬로 커패시터 (C<sub>E</sub>)를 연결하는 방법이 있다.
 
=====3. 컬렉터 귀환 바이어스=====
[[Image파일:Collector to base bias.PNG|thumb|right|Collector-to-base bias]]
이 방법은 열 폭주(thermal runaway)를 막고 작동지점을 안정성을 높이기 위해 쓰는 방법이다. 이 바이어스 방법에는 베이스 저항 <math>R_{\text{B}}</math> 이 DC 전압원 <math>V_{\text{cc}}</math>에 연결되는 대신 컬렉터에 연결된다. 그러므로 열 폭주가 저항 <math>R_{\text{C}}</math> 사이의 전압을 강하시킨다.