진성 반도체: 두 판 사이의 차이
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→페르미 준위: 수식의 마지막 항의 계수를 4/3에서 3/4로 수정하였습니다. N_V와 N_C는 각각 m_h와 m_e의 3/2 제곱에 비례하기 때문입니다. 태그: m 모바일 웹 |
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===페르미 준위===
도핑된 경우에 [[페르미 준위]]는 도너 준위나 억셉터 준위 근처에 존재하지만, 진성 반도체는 [[띠틈]]의 띠 중앙에 위치한다. 전도띠의 에너지를 <math>E_C</math>, 원자가띠의 에너지를 <math>E_V</math>, [[전자]]와 [[양공 (물리학)|양공]]의 [[유효질량]]을 <math>m_e</math>, <math>m_h</math>라고 했을 때 진성 반도체의 페르미 준위의 에너지 <math>E_i</math>는
:<math>E_i= {{E_C+E_V} \over 2}+ {1 \over 2}kT \ln {N_V \over N_C}={{E_C+E_V} \over 2}+ {
의 형태로 표기된다.
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