진성 반도체: 두 판 사이의 차이

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진성 반도체는 캐리어 밀도가 낮기때문에 일반적으로는 진성 반도체에 [[불순물]]을 도핑한 [[불순물 반도체]] (외인성 반도체)가 사용된다. 불순물 반도체는 도너나 억셉터의 열여기에 의한 캐리어가 전도에 기여한다. [[반도체|캐리어]]가 [[홀]] (전공)인 P형 반도체와 캐리어가 [[전자]]인 N형 반도체로 크게 구별된다. 캐리어의 종류는 불순물의 [[최외각 전자]]의 수에 의하여 결정되며 최외각 전자가 4보다 크면 N형 반도체, 최외각 전자가 4보다 작으면 P형 반도체가 된다. [[규소|실리콘]]에서 [[인]], [[비소]]를 도핑했을 때는 N형 반도체, [[붕소]]를 도핑했을 때는 P형 반도체가 된다.
 
== 같이 보기 ==
* [[N형 반도체]]
* [[P형 반도체]]
* [[불순물 반도체]]
 
{{반도체}}