주 메뉴 열기

바뀜

68 바이트 추가됨 ,  1년 전
잔글
117.16.196.166(토론)의 21109529판 편집을 되돌림
시장에 플래시 메모리가 출시되었을 때, 모든 셀의 상태는 1로 되어 있다. 이런 셀의 정보를 0으로 변경하는 것을 프로그래밍이라고 한다. NOR 플래시 메모리를 프로그래밍하기 위해 EPROM처럼 hot-electron injection 방식을 사용한다. 먼저, NOR 플래시 셀의 소스에서 드레인으로 전류가 흐를 때, CG에 큰 전압을 가하면 FG에 전자를 끌어들일 정도의 강한 전기장이 생성되어 결국 전류가 흐르지 않게 된다. 결국, 셀의 상태는 0이 된다. NOR 플래시 셀을 지우기 위해 (다시 프로그래밍하기 위한 준비로 모든 셀을 1로 다시 설정하는 것) CG와 소스 사이에 강한 전압차를 주면 [[Fowler-Nordheim tunneling]]을 통해 FG는 전자를 잃는다. 최근에 개발된 대부분의 NOR 플래시 메모리는 한 번에 지워진다. 그러나 프로그래밍은 [[바이트]] 또는 [[워드 (컴퓨팅)|워드]] 단위로 수행된다.
 
NAND 플래시는 쓰기 작업을 위해서 [[터널 주입]]을 사용하고, 지우기 위해 [[터널 릴리즈]]를 사용한다. NAND 플래시 메모리는 USB 메모리 드라이브로 알려진 USB 인터페이스 저장 장치에서 쓰이고 있다..
 
== 역사 ==

편집

2