FeRAM: 두 판 사이의 차이
내용 삭제됨 내용 추가됨
잔글 로봇이 바꿈: ja:強誘電体メモリ |
ToePeu bot (토론 | 기여) 잔글 -{{llang|en}} +{{lang|en}} |
||
1번째 줄:
'''에프램''' 또는 '''강유전체 램'''({{
에프램은 엠램(MRAM), 피램(PRAM) 등과 함께 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있다. MRAM, PRAM에 비해 대량생산 기술이 더욱 성숙되어 있는 것이 FeRAM의 장점이다. Freescale Semiconductor 사가 2006년 4메가비트 MRAM의 제한적인 대량생산을 시작하였고 PRAM은 아직 대량생산이 불가능하나, FeRAM은 2006년 후지쯔와 램트론 인터내셔널(Ramtron International) 사가 1메가비트 칩의 대량생산을 시작하였다. 그러나 아직까지 어떤 차세대 비휘발성 메모리도 플래시 메모리의 집적도(수 기가비트 이상)나 낮은 가격을 실현하지는 못하고 있다. 현재까지 FeRAM은 스마트 카드 등의 몇몇 특수한 분야에만 경쟁력이 있을 뿐이다.
|