진성 반도체: 두 판 사이의 차이

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===캐리어 이동도===
진성 반도체는 불순물의 도핑이 되지 않았기 때문에 캐리어는 이온화 [[불순물 산란]]의 영향을 받지 않는다. 그렇기에 도핑되었을 때와 비교해서 매우 빠른 [[이동도]]를 나타낸다. 하지만 이전에 말했듯이 진성 반도체는 캐리어 밀도가 매우 낮기때문에 용도또한 한정된다. 탄소구조에 의한 [[2차원 전자 가스]] 를 이용한 반도체소자 (예시 [[HEMT]])가 있다.
 
===도핑===
진성 반도체는 캐리어 밀도가 낮기때문에 일반적으로는 진성 반도체에 [[불순물]]을 도핑한 [[불순물 반도체]] (외인성 반도체)가 사용된다. 불순물 반도체는 도너나 억셉터의 열여기에 의한 캐리어가 전도에 기여한다. [[반도체|캐리어]]가 [[홀]] (전공)인 P형 반도체와 캐리어가 [[전자]]인 N형 반도체로 크게 구별된다. 캐리어의 종류는 불순물의 [[최외각 전자]]의 수에 의하여 결정되며 최외각 전자가 4보다 크면 N형 반도체, 최외각 전자가 4보다 작으면 P형 반도체가 된다. [[규소|실리콘]]에서 [[인]], [[비소]]를 도핑했을 때는 N형 반도체, [[붕소]]를 도핑했을 때는 P형 반도체가 된다.
 
== 같이 보기 ==