동적 램: 두 판 사이의 차이
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EDO 디램은 새로운 접근 사이클이 이전 사이클 활동의 데이터 출력을 유지하는 동안 시작될 수 있는 부가 기능을 제공하는 고속 페이지 모드 DRAM과 비슷하다. 운영하는 동안(파이프라인 과정) 어느 정도 양의 오버랩을 허용하며, 조금 더 개선된 속도를 지원한다. 고속 페이지 모드 디램보다 5% 더 빠르며, 고속 페이지 모드 디램은 1993년에 EDO 디램으로 대체되었다.
=== 버스트 EDO (BEDO) 디램 ===
버스트 EDO 디램은 최대 5-1-1-1을 위한 4 개의 메모리 주소를 한
=== 멀티뱅크 디램 (MDRAM) ===
멀티뱅크 램은 2L 캐시 메모리에 대한 메인 메모리를 위한 인터리빙 기술로 [[에스램|SRAM]]보다 저렴하고 더 빠르다.
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