펜티엄 4: 두 판 사이의 차이
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=== 윌라멧(Wilamette, 180nm) ===
[[넷버스트 마이크로아키텍처]] 기반 펜티엄 4 프로세서의 첫 번째 코어이며 2000년 11월 1.4Ghz와 1.5Ghz가 발표되었다. 256KB의 L2 캐시와 400Mhz의 FSB, 4,200만 개의 트랜지스터가 집적되었고 180nm의 제조공정과 217㎟의 [[다이 (집적 회로)|다이]] 크기를 가지며 전압은 1.75V이다. 이전 펜티엄 III 프로세서에서는 볼 수 없었던 다양한 기능들을 포함하고 있다. 새로운 [http://ko.wikipedia.org/wiki/SSE2 Streaming SIMD Extensin 2(SSE2)] 명령어의 지원과 20단계의 [http://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%8C%8C%EC%9D%B4%ED%94%84%EB%9D%BC%EC%9D%B8 파이프라인], 향상된 분기 예측, 그리고 Quad pumped를 이용한 400Mhz FSB, [http://ko.wikipedia.org/wiki/CPU_%EC%BA%90%EC%8B%9C#.ED.8A.B8.EB.A0.88.EC.9D.B4.EC.8A.A4_.EC.BA.90.EC.8B.9C 실행 추적 캐시] 등이 있다. 이후 2001년 1월, 펜티엄 4 프로세서의 마이너 모델인 1.3Ghz가 추가되었고 2001년 4월엔 1.7Ghz이, 7월엔 1.6Ghz와 1.8Ghz, 8월엔 1.9Ghz와 2.0Ghz이 추가되었다.
그러나 펜티엄 4 프로세서의 데뷔는 성공적이지 못했다. 펜티엄 4 프로세서와 조화를 이루던 [http://ko.wikipedia.org/wiki/RDRAM RDRAM]의 터무니 없이 비싼 가격과 [http://ko.wikipedia.org/wiki/SDRAM SDRAM]으로 펜티엄 4 시스템을 구성하게 되면 펜티엄 III 프로세서보다 퍼포먼스가 떨어지는 문제점([http://ko.wikipedia.org/wiki/SDRAM SDRAM]의 대역폭이 펜티엄 4 프로세서의 400Mhz FSB에 한참 미치지 못하기 때문에 [http://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%B3%91%EB%AA%A9_%ED%98%84%EC%83%81 병목 현상]이 발생하게 됨.), 클럭당 낮은 효율, 높은 발열 및 전압 등이 문제였으며 [http://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%98%A4%EB%B2%84%ED%81%B4%EB%9F%AD 오버클럭킹] 수율까지 매우 형편없어서 사람들에게 많은 비난을 받았다.
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'''1. 노스우드 A'''
윌라멧 코어의 뒤를 잇는 펜티엄 4 프로세서의 두 번째 코어이다. 2002년 1월에 1.6A Ghz와 1.8A Ghz, 2.0A Ghz, 2.2A Ghz가 발표되었으며, 5,500만개의 트랜지스터와 L2 캐시는 기존 256KB에서 512KB로 2배 증가했다. 130nm의 공정 도입 때문에 [[다이 (집적 회로)|다이]] 크기는 217㎟에서 131㎟로 대폭 줄었으며 덕분에 전압은 1.5V 수준으로 낮춰지고 발열 또한 낮아졌다. 오버클럭킹 수율도 윌라멧 코어보다 대폭 향상되었고 펜티엄 4 프로세서의 잃어버린 인지도를 되찾기에 충분했다.
동작 속도는 1.6A Ghz ~ 2.8A Ghz까지 출시되었다.
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