180 nm 공정: 두 판 사이의 차이

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{{반도체 제조 공정}}
 
'''180 나노미터nm(180 [[나노미터|nm]]) 공정''' 또는 '''0.18 마이크로미터µm(0.18 [[µm마이크로미터]]) 공정'''은 회로선 폭이 180 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1999년에서 2000년 경 [[인텔]], [[IBM]], [[텍사스 인스트루먼트]], [[TSMC]]와 같은 회사가 달성한 반도체 공정의 기술 수준을 말한다달성하였다.
 
180 나노미터라는 값의 기원은 매 2 ~ 3년마다 반도체의 게이트 길이를 이전 세대의 공정에 비해 70% 수준으로 축소하는 것을 반영한 동향에서 나왔다. 180 나노미터의 공식적인 명칭은 [[국제 반도체 기술 로드맵]](ITRS)에서 확정하였다.