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1번째 줄: '''다이오드'''({{lang\|en\|diode}})는 [[게르마늄]]이나 [[규소]]로 만들며 발광, ~~정류(~~[[교류정류기\|정류]]~~를 [[직류]]로 변환)~~ 특성 등을 지니는 [[반도체 소자]] ~~소자를~~를 말한다. 최초의 다이오드는 [[진공관]]으로 만들어졌다. == 반도체 다이오드 == 10번째 줄: 다이오드의 전류-전압 특성은 두 동작영역으로 나눠 설명할 수 있다. 다이오드 양단에 걸리는 potential의 차가 크지 않은 경우 소모층의 길이가 크다. 따라서 다이오드는 마치 전류의 흐름이 끊긴(opened) 회로처럼 동작한다. potential의 차가 커지면 다이오드의 전도성이 커지며 전하가 흐르기 시작한다. 이때 다이오드는 마치 [[전기저항\|저항]]이 매우 작거나 없는 물질처럼 행동한다. 보통 다이오드 양단에 전류가 흐르면 전압이 일정하게 낮아진다. 실리콘 다이오드는 0.6-0.7볼트 정도이며, 쇼트키 다이오드는 0.2~0.4볼트, LED의 경우에는 1.4v4볼트 정도(종류와 전류의 양에 따라 달라짐)이다. 역방향 전류-전압 특성을 살펴보면, 역방향 바이어스 구역에서 다이오드를 통과하는 전류는 매우 적다. 하지만 PIV(역방향 한계 전압, peak-inverse-voltage)를 넘어서는 전압을 공급하면, 다이오드는 [[~~아발란체~~전자사태 항복]](avalanche breakdown)을 일으켜 역방향으로 커다란 ~~전류를~~전류가 보내흘러 ~~장비가~~소자가 망가진다. 제너 다이오드 같은 특별한 목적의 다이오드에 대해서는 PIV를 적용하지 않는 경우도 있다. == 다이오드의 종류 == 18번째 줄: * [[정류 다이오드]](Silicon diode) * [[검파 다이오드]](Germanum diode) * [[제너정전압 다이오드]](Zener diode) * [[정전류 다이오드]](Current limiting diode, CLD)▼ * [[에사키 다이오드]](Esaki diode ,Tunnel diode) * [[쇼트키 다이오드]](Schottky barrier diode) ▲* [[정전류 다이오드]](Current limiting diode, CLD) * [[가변용량 다이오드]](Varactor diode) * [[셀렌 다이오드]](Selenium diode) * [[수은 다이오드]](Mercury diode) === 광학 === * 발광 * [[광다이오드]](Photo diode)▼ [[~~아발란체 광~~발광 다이오드]](~~Avalanche~~Light ~~photo~~emitting diode, LED) [[레이저 다이오드]](LASER diode) * 수광 * [[발광 다이오드]](Light emitting diode, 줄여서 LED)▼ [[~~핀 다이오드~~광다이오드]](~~PIN~~Photo diode) ▲ [[전자사태 광다이오드]](~~Photo~~Avalanche photo diode) ▲** [[발광핀 다이오드]](~~Light emitting~~PIN diode~~, 줄여서 LED~~) === 고주파 === * [[건 다이오드]](Gunn diode)

다이오드: 두 판 사이의 차이