통합 게이트 정류 사이리스터: 두 판 사이의 차이
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'''통합 게이트 정류 사이리스터'''(Integrated Gate Commutated Thyristor, '''IGCT''')는 대용량의 전류를 제어할 수 있는 신형 반도체 소자다. IGCT는 GTO와 비슷한 사이리스터의 일종으로, 게이트 신호로 켜고 끌 수 있으며 GTO에 비해 전도 손실이 적은 것이 특징이다.
또한 IGCT는 GTO에 비해 조금 더 고속의 스위칭이 가능하다. 최고 400KHz의 스위칭이 가능하지만, 변환 손실로 인해 보통 500Hz 정도로 스위칭한다.
개발사는 스위스의 ABB다.
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