게이트 턴 오프 사이리스터: 두 판 사이의 차이
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'''게이트 턴 오프 사이리스터''' (Gate Turn-Off thyristor; '''GTO''')는, [[반도체 소자]]의 일종으로서, 게이트에 역방향의 전류를 흐르게 하는 것으로 턴 오프할 수 있는 기능을 가진 [[사이리스터]]이다.
== 구조 ==
사이리스터의 음극 전극을 분할해, 그 주위를 게이트 전극으로 둘러싸는 구조로 하는 것으로, 부의 게이트 전류를 흘렸을 때에 어노드·음극간의 캐리어 전류가 뽑아 내져서 싸지도록(듯이) 개량한 것이라고 생각하면 좋다.
== 용도와 특징 ==
[[유도전동기]]를 구동하는 [[인버터]]의 스위칭용 소자로서 1977년에 처음으로 사용된 이후 오늘까지 공업 분야나 전기 철도 등에 널리 사용되어 왔지만, 최근에는 IGBT에 그 지위를 양보하고 있다. 이유로서는 다음과 같은 것들이 있다.
*턴오프 했을 때 어노드와 음극간에 일시적으로 발생하는 스파이크 전압을 완화하기 위한 다이오드, 저항기, 콘덴서를 이용한 부가 회로(스너버 회로)가 불가결하고, 회로가 복잡하다.
*턴오프 후 어노드와 음극간의 전압이 완전히 안정될 때까지의 시간(테일 시간)이 트랜지스터보다 길기 때문에, 스위칭 주파수를 가청 영역(인간의 귀로 들리는 영역)보다 높이기 어렵다. 때문에 이 소자로 모터의 회전수나 토크를 제어하는 경우, 스위칭에 의해 모터로부터 발생하는 소음이 크게 느껴지게 된다.
*턴오프하기 위한 게이트 전류가 수분의 1 정도로 크고(트랜지스터는 수십~수천분의1), 게이트 전류가 전부 열손실이 되기 때문에 소비전력이나 발열이 커진다.
== 관련 항목 ==
[[category:반도체|게이트 턴 오프 사이리스터]]
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