250 nm 공정

250 nm(나노미터) 공정 또는 0.25 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 250 nm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준을 말한다.

250nm CMOS 공정은 1987년 카사이 나오키가 주도하는 일본의 NEC 연구팀에 의해 증명되었다.[1]

250 나노미터 제조 공정을 적용한 제품편집

각주편집

  1. Kasai, Naoki; Endo, Nobuhiro; Kitajima, Hiroshi (December 1987). “0.25 µm CMOS technology using P+polysilicon gate PMOSFET”. 《1987 International Electron Devices Meeting》: 367–370. doi:10.1109/IEDM.1987.191433.