절연 게이트 양극성 트랜지스터: 두 판 사이의 차이

*2000년대부터, 트렌치 게이트 구조나 콜렉터측에 필드스톱층을 형성한, 보다 On 전압이 낮고 스위칭 손실도 적은 것도 제조되고 있다.

 

결정 결함 밀도가 높은 다이싱 측면에서의 캐리어 발생을 억제하는 것을 통해 역내압(逆耐壓)특성을 갖게 한 것이다.