펜티엄 4: 두 판 사이의 차이

펜티엄 4의 첫 모델이였으나, 펜티엄 4 프로세서와 조화를 이루던 [[RDRAM]]의 터무니 없이 비싼 가격과 [[SDRAM]]으로 펜티엄 4 시스템을 구성하게 되면 SDRAM의 대역폭(133MHz)이 프로세서 FSB(400MHz)보다 차이가 나 [[병목 현상]]이 발생해 펜티엄 III 프로세서보다 퍼포먼스가 떨어지는 문제점이 있었고, 클럭당 낮은 효율, 높은 발열 및 전압 및 형편없는 [[오버클럭킹]] 수율로 비난을 받았다.

 

 

=== 노스우드(Northwood, 130nm) ===

2002년 1월에 발표된 윌라멧 코어의 뒤를 잇는 펜티엄 4 프로세서의 두 번째 코어이다. 5,500만개의 트랜지스터가 집적되었으며, 130nm 공정 도입으로 [[다이 (집적 회로)|다이]] 크기가 131㎟로 줄었다. 공정 미세화로 인해 동작 전압(1.5V 수준)과 발열이 낮아졌고 오버클럭킹 수율이 윌라멧 코어보다 대폭 향상되었다. L2 캐시가 512KB로 늘어났다는 특징이 있다.

 

 

'''2. 노스우드 B'''

2002년 4월에 발표되었으며, FSB가 533Mhz로 향상된 코어이다. 2002년 8월에 발표된 3.06Ghz 제품부터 [[하이퍼스레딩]] 기술이 추가되었다.

 

 

'''3. 노스우드 C'''

2003년 4월 발표된 노스우드 코어의 최종 버전이다. FSB가 800Mhz로 향상되었으며 전 모델이 [[하이퍼스레딩]]을 지원한다.

 

 

''' 모바일 펜티엄 4 (Mobile Pentium 4, 90nm) '''

2004년 1월에 발표된 노스우드 코어의 뒤를 잇는 펜티엄 4 프로세서의 세 번째 코어이다. 1억 2,500만개의 트랜지스터가 집적되었으며, 90nm 공정으로 제조되었다. [[SSE3]] 명령어가 추가되었다. L1 캐시가 16KB, L2 캐시가 1MB로 증가하였으며 31단계의 [[파이프라인]]을 가지고 있다. 공정의 미세화로 인해 코어의 크기와 전압이 줄었다는 장점이 있지만 전류 누설이 심해 "프레스핫", "아버님댁에 프레스캇 한 대 놔드려야겠어요" 라는 말이 생겨날 정도로 발열이 심하였다. 크게 증가한 쿨러 속도가 5000RPM까지 올라가는 경우가 있었고 이로 인한 소음이 상당하였으며, 파이프라인이 기존 20단계에서 31단계로 증가하였지만 예상 외로 코어 클럭이 3.4 GHz밖에 미치지 못하였다. 잘못 실행한 명령 혹은 데이터가 존재하면 처리중인 작업을 취소하고 1단계부터 다시 31단계의 연산 과정을 겪어야 하기 때문에 상당히 비효율적이였으며, 때문에 클럭 당 효율(IPC)이 낮아지게 되고 오히려 노스우드 C 코어보다 연산 속도가 느려질 수 있다는 문제점도 있었다.

 

 

 

'''2. 프레스캇 E'''

프레스캇 A와 같이 발표 되었으나 800Mhz의 FSB와 전 모델이 [[하이퍼스레딩]]을 지원한다는 차이점이 있다.

 

 

'''3. 프레스캇 5x0'''

G1 리비전에 도달하면서 발열과 전력소모가 안정되었고, 오버율 또한 상당히 향상되었다.

 

 

'''4. 프레스캇 6x0'''

2005년 1분기 발표된 코어로 프레스캇의 차기 개발 제품으로 4Ghz를 목표로 했던 테자스가 발열과 전력소모를 문제로 취소되면서 그 공백을 메꾸기 위한 목적으로 출시되었다. L2 캐시가 2MB으로 증가되었다. 2005년 2월 [[VT]]가 추가된 모델이 발표되었으며 프로세서 번호는 "6x2"이다.

 

 

=== 시더밀(Cedar Mill, 65nm) ===

프레스캇 코어의 뒤를 잇는 펜티엄 4 프로세서의 네 번째 코어이자 넷버스트 아키텍처로 제작된 펜티엄 4의 마지막 프로세서 코어로 본래 테자스의 65nm판으로 계획된 모델이다. 공정 미세화로 발열이 다소 낮아졌다. 프로세서 번호는 "6x1"이다.

 

 

== 바깥 고리 ==

[[분류:인텔]]

[[분류:마이크로프로세서]]