EEPROM: 두 판 사이의 차이

내용 삭제됨 내용 추가됨
잔글편집 요약 없음
잔글편집 요약 없음
1번째 줄:
'''EEPROM'''('''Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory''')는 [[비휘발성 메모리]]([[Non-volatile memory]], [[NVM]], [[NVRAM]])의 하나로 1983년 인텔의 George Perlegos가 개발한 인텔 2816이 첫 제품이었다.
 
[[UVEPROM]]이 자외선을 쏘며 내용을 지우는 반면 EEPROM은 전기적으로만 지울 수 있는 [[PROM]]으로 칩의 한 핀에 전기적 신호를 가해줌으로써 내부 데이터가 지워지게 되어 있는 롬이다. 데이터를 새로 추가하고 지우기 위한 롬 라이터와 이레이저가 따로 필요하지 않으며 하나의 장비를 사용해서 쓰고 지울 수 있다. 그러나 EEPROM은 전기를 노출시킴으로서 한 번에 1 바이트씩만 지울 수 있기 때문에 [[플래시 메모리]]와 비교하면 매우 느리며 다시 기록 횟수에 제한이 있는데 약 10만 번 정도까지만 다시 기록할 수 있다.