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절연 게이트 양극성 트랜지스터: 두 판 사이의 차이

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=== 펀치스루(Punch Through)형 ===
1980년대부터 제조되고 있는 것이다. 오프시에 공지층공핍층(空乏層, depletion layer)이 콜렉터측에 접촉하고 있는 것이며, 에피텍셜 웨이퍼를 사용해 콜렉터측으로부터 캐리어를 고농도로 주입하여 라이프타임 컨트롤을 실시하는 설계이다.
 
특징은 다음과 같다.
원본 주소 "https://ko.wikipedia.org/wiki/절연_게이트_양극성_트랜지스터"