띠틈: 두 판 사이의 차이

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{{출처 필요|날짜=2010-10-5}}
[[응집물질물리학]]에서 '''띠틈'''({{lang|en|band gap|밴드 갭}}), '''띠간격''', 또는 '''에너지 틈'''({{lang|en|energy gap}})이란 [[반도체]], [[절연체]]의 [[띠구조]]에서 [[전자]]에 점유된 가장 높은 [[에너지]]띠 ([[원자가띠]])의 맨위부터 가장 낮은 공간띠 ([[전도띠]])의 바닥까지 사이의 에너지 준위나 그 에너지 차이를 말한다. [[띠구조|E-k 공간]]상에 있고, 전자는 이 상태를 취할 수 없다. 띠틈의 존재에 기인하는 반도체 물성은 [[반도체소자]]에서 적극적으로 이용하고 있다. 그리고 넓은 의미로는 결정의 [[띠구조]]에 대하여 전자가 존재할 수 없는 영역 전체를 가리다가리킨다.
 
[[그림:BandDiagram-Semiconductors-J.PNG|thumb|right|250px|반도체 [[띠구조]]의 모식도. E는 전자가 가지는 [[에너지]], k는 [[파수]]이다. Eg가 띠틈이다. 반도체 (또는 절연체)는 "절대영도에서 전자가 들어가있는 맨위의 에너지띠"가 전자로 채워져 있음 ([[원자가띠]]), 그 위에 띠틈을 넘어서 빈 띠가 있다. ([[전도띠]])]]