펜티엄 4: 두 판 사이의 차이

2004년 1월에 발표된 노스우드 코어의 뒤를 잇는 펜티엄 4 프로세서의 세 번째 코어이다. 1억 2,500만개의 트랜지스터가 집적되었으며, 90nm 공정으로 제조되었다. [[SSE3]] 명령어가 추가되었다. L1 캐시가 16KB, L2 캐시가 1MB로 증가하였으며 31단계의 [[파이프라인]]을 가지고 있다. 공정의 미세화로 인해 코어의 크기와 전압이 줄었다는 장점이 있지만 전류 누설이 심해 "프레스핫", "아버님댁에 프레스캇 한 대 놔드려야겠어요" 라는 말이 생겨날 정도로 발열이 심하였다. 크게 증가한 쿨러 속도가 5000RPM까지 올라가는 경우가 있었고 이로 인한 소음이 상당하였으며, 파이프라인이 기존 20단계에서 31단계로 증가하였지만 예상 외로 코어 클럭이 3.4 GHz밖에 미치지 못하였다. 잘못 실행한 명령 혹은 데이터가 존재하면 처리중인 작업을 취소하고 1단계부터 다시 31단계의 연산 과정을 겪어야 하기 때문에 상당히 비효율적이였으며, 때문에 클럭 당 효율(IPC)이 낮아지게 되고 오히려 노스우드 C 코어보다 연산 속도가 느려질 수 있다는 문제점도 있었다.