동적 램: 두 판 사이의 차이

1964년, IBM에서 일하던 아놀드 파버와 유진(Eugene Schlig)은 [[트랜지스터]] 게이트와 [[에사키 다이오드|터널 다이오드]] [[플립플롭|래치]]를 이용하여 고정 배선 형태의 [[메모리 셀]]을 만들었다. 래치를 두 개의 트랜지스터와 두 개의 레지스터로 대체하였으며, 이 구성은 Farber-Schlig 셀로 부른다. 1965년 IBM에서 벤자민 아구스타와 그의 팀은 이 Farber-Schlig 셀을 기반으로한 16비트 실리콘 메모리 칩을 만들었으며, 여기에 80개의 트랜지스터, 64개의 레지스터, 4개의 다이오드가 포함되어 있었다. 1966년 [[로버트 H. 데나드]] 박사가 IBM [[IBM 왓슨 연구소|왓슨 연구소]]에서 DRAM을 발명하였다. 그는 1968년 [httphttps://patft1web.usptoarchive.govorg/netacgiweb/20151231134927/nph-Parser?patentnumber=3387286 3,387,286]{{깨진 링크|url=http://patft1.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?patentnumber=3387286 }}3,387,286] 미국 특허를 받았다.