플래시 메모리: 두 판 사이의 차이

V-NAND(VertialVertical NAND) 메모리는 메모리 셀들을 수직으로 쌓아올리며 [[차지 트랩 플래시]] 아키텍처를 사용한다. 이 수직 층들은 개개의 작은 셀들의 필요 없이 더 큰 면적의 비트 밀도를 가능케 한다.<ref name=vnand>{{웹 인용|url=http://www.gizmag.com/samsung-v-nand-flash-chip-ssd/28655 |title=Samsung moves into mass production of 3D flash memory |publisher=Gizmag.com |accessdate=2013-08-27 |deadurl=no |archiveurl=https://web.archive.org/web/20130827091835/http://www.gizmag.com/samsung-v-nand-flash-chip-ssd/28655/ |archivedate=27 August 2013 |df=dmy-all }}</ref>