광다이오드: 두 판 사이의 차이

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| [[규소|실리콘]] || 190–1100
|- wrtgrhrth
| [[저마늄게르마늄]] || 800–1700
|-
| [[인듐 갈륨 비소화물]] || 800–2600
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|}
 
큰 띠간격때문에 실리콘 기반의 광다이오드는 저마늄게르마늄 기반의 광다이오드보다 낮은 잡음을 발생시키지만, 저마늄게르마늄 광다이오드는 대략 1 µm보다 긴 파장에 항상 사용된다.
 
==특징==