AN/SPY-6: 두 판 사이의 차이
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=== 질화갈륨(GaN) ===
37 RMA인 SPY-6(V)1의 레이다 소자는 차세대 전력 반도체 소재인 GaN(질화갈륨) 기반으로 제작되어 기존 이지스 레이다 소자인 GaAs 대비
=== 탐지능력 ===
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=== 질화갈륨(GaN) ===
37 RMA인 SPY-6(V)1의 레이다 소자는 차세대 전력 반도체 소재인 GaN(질화갈륨) 기반으로 제작되어 기존 이지스 레이다 소자인 GaAs 대비
=== 탐지능력 ===
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