저항-트랜지스터 논리: 두 판 사이의 차이

접합형 [[트랜지스터#스위치 작용|트랜지스터 스위치]]는 [[부정|부정 논리]]를 수행하는 가장 간단한 RTL 회로이다 ([[NOT 게이트]]).<ref>[http://www.play-hookey.com/digital_electronics/rtl_gates.html Resistor-Transistor Logic] explains the basic RTL gates and gives some useful calculations</ref> 이는 베이스 저항이 베이스와 입력 단자에 연결된 [[공통 이미터]]로 이루어져 있다. 베이스 저항은 입력된 전압을 전류로 변환시켜서 매우 작은 트랜지스터 입력 전압(약 0.7V)을 논리적 "1" 수준(약 3.5V)으로 끌어올리기 위해 존재한다. 이 저항값은 조정을 통해 설정된다: 트랜지스터를 충족시킬 만큼 충분히 낮으면서도 높은 입력 저항값을 얻을 만큼 높은 값으로 설정된다. 컬렉터 저항의 역할은 컬렉터 전류를 전압으로 바꾸기 위해 있다. 이 저항값은 트랜지스터를 충족시킬 만큼 충분히 높으면서도 낮은 출력 저항값(높은 [[팬아웃]])을 얻을 만큼 낮은 값으로 설정된다.

 

 

=== 단일 트랜지스터 RTL NOR 게이트 ===

베이스 저항이 둘 이상(R₃과 R₄) 있으면, NOT 게이트는 RTL [[NOR 게이트]](오른쪽 그림 참고)가 된다. 논리 연산자 [[논리합|OR]]는 [[덧셈]]과 [[부등식|비교]]의 두 산술 연산을 적용한 것이다(입력 저항은 동일한 가중치를 갖는 입력들의 병렬 ''전압 가산기'' 처럼 행동하고 잇따르는 공통-이미터 트랜지스터는 약 0.7 V를 임계치로 갖는 ''전압 비교기''처럼 행동한다). 논리적 "1"에 연결된 저항과 논리적 "0"에 연결된 저항은 트랜지스터로 형성된 전압 분리기의 두 다리 역할을 한다. 베이스 저항의 저항값과 입력의 개수는 한 논리적 "1"이 베이스-이미터 전압이 임계치를 넘어서 결과적으로 트랜지스터가 작동할 수 있도록 (제한적으로) 결정된다. 만약 입력 전압 전체가 낮다면(논리적 "0"), 트랜지스터는 전류가 끊긴다. [[풀다운 저항]] R₁은 트랜지스터가 꺼짐과 켜짐을 적절하게 구분할 수 있도록 편향시킨다. 트랜지스터 Q₁의 컬렉터-이미터 전압을 출력으로 생각하면 입력이 낮을 때 출력이 높기 때문에 출력이 부정된다. 따라서, 아날로그 저항 회로와 아날로그 트랜지스터는 논리 회로 NOR을 수행한다.<ref>{{서적 인용|last=IBM |id=Form 223-6889 |first=IBM |year=1960 |title=Transistor Component Circuits |publisher=IBM |url=http://ibm-1401.info/Form223-6889-TransistorComponentCircuits.pdf |series=Customer Engineering Manual of Instruction |accessdate=2010-01-04 |quote=The logical function is performed by the input resistor network and the invert function is accomplished by the common emitter transistor configuration... }}</ref>

 

[[Apollo Guidance Computer]] schematics, [http://klabs.org/history/ech/agc_schematics/logic/5011-1.jpg Dwg. No. 2005011].

</ref>]]

 

=== 다중 트랜지스터 RTL NOR 게이트 ===

 

[[분류:집적 회로]]