하트리 (단위): 두 판 사이의 차이

:''ε''₀: [[전기 상수]],

:''c'' 진공에서의 [[빛의 속력]],

 

[[보어 반지름]] <math>a_0</math>이 <math>a_0 = \frac{4 \pi \varepsilon_0 \hbar^2}{m_{\mathrm{e}} e^2} = \frac{\hbar}{m_{\mathrm{e}}c\alpha}</math>로 정의되기 때문에, [[가우스 단위]] <math>4\pi \varepsilon_0=1</math>를 사용해 하트리 에너지를 <math>E_\mathrm{h} = e^2/a_0 </math>로 적을 수 있다. 유효 하트리 단위는 반도체 물리에서 <math>e^2</math>를 <math>e^2/\epsilon</math>로서(<math>\epsilon </math>는 정적 유전 상수), 전자 질량을 유효띠 질량 <math>m^*</math>으로서 대체하여 사용한다. 반도체에서의 유효 하트리 에너지는 밀리전자볼트(meV)로 측정할 정도로 작아진다.<ref> Tsuneya Ando, Alan B. Fowler, and Frank Stern Rev. Mod. Phys. '''54''', 437 (1982) </ref>