펜티엄 4: 두 판 사이의 차이

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== 프로세서 코어 ==
=== 윌라멧(Willamette, 180nm) ===
2000년 11월 발표된 [[넷버스트 마이크로아키텍처]] 기반 펜티엄 4 프로세서의 첫 번째 코어이다. 4,200만 개의 트랜지스터가 집적되었고 180nm의 제조공정과 217㎟217mm<sup>2</sup>의 [[다이 (집적 회로)|다이]] 크기를 가지며 1.75V의 동작전압을 요구한다. [[SSE2|Streaming SIMD Extensin 2]] (SSE2) 명령어의 지원과 20단계의 [[파이프라인]], 향상된 분기 예측, 그리고 [[쿼드 펌프드]](Quad Pumped) 기술을 이용한 400Mhz FSB, [[실행 추적 캐시]] 등이 도입되었다.
 
펜티엄 4의 첫 모델이였으나, 펜티엄 4 프로세서와 조화를 이루던 [[RDRAM]]의 터무니 없이 비싼 가격과 [[SDRAM]]으로 펜티엄 4 시스템을 구성하게 되면 SDRAM의 대역폭(133MHz)이 프로세서 FSB(400MHz)보다 차이가 나 [[병목 현상]]이 발생해 펜티엄 III 프로세서보다 퍼포먼스가 떨어지는 문제점이 있었고, 클럭당 낮은 효율, 높은 발열 및 전압 및 형편없는 [[오버클럭킹]] 수율로 비난을 받았다.
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'''1. 노스우드 A'''
 
2002년 1월에 발표된 윌라멧 코어의 뒤를 잇는 펜티엄 4 프로세서의 두 번째 코어이다. 5,500만개의 트랜지스터가 집적되었으며, 130nm 공정 도입으로 [[다이 (집적 회로)|다이]] 크기가 131㎟131mm<sup>2</sup>로 줄었다. 공정 미세화로 인해 동작 전압(1.5V 수준)과 발열이 낮아졌고 오버클럭킹 수율이 윌라멧 코어보다 대폭 향상되었다. L2 캐시가 512KB로 늘어났다는 특징이 있다.
 
* L1 캐시: 8KB (데이터) + 12Kuops ([[CPU 캐시|트레이스 캐시]])