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정적 램: 두 판 사이의 차이

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[[그림:6t-SRAM-cell.png|thumb|300px|6개의 트랜지스터로 구성된 CMOS SRAM 소자.]]
 
'''정적 램'''(靜的 RAM) 또는 '''에스램'''(SRAM, {{lang|en|static random access memory}})은 [[반도체]] [[기억 장치]]의 한 종류이다. 주기적으로 내용을 갱신해 주어야 하는 [[디램]](DRAM, 동적 램)과는 달리 기억 장치에 전원이 공급되는 한 그 내용이 계속 보존된다. SRAM은 임의 접근 기억 장치([[램]], random access memory)이므로 데이터의 쓰고 읽기가 이루어지는 주소와 관계없이 입출력에 걸리는 시간이 일정하다. SRAM은 DRAM의 일종인 [[SDRAM]]과는 전혀 다른 기억 소자이므로 서로 구별되어야 한다.
 
SRAM에서 각각의 [[비트]]들은 네 개의 [[트랜지스터]]로 이루어진 두 쌍의 [[인버터]]에 저장된다. 두 쌍의 인버터가 0과 1의 값을 안정된 상태로 유지하고 두 개의 접근 트랜지스터가 읽기와 쓰기 기능을 수행한다. 따라서 한 개의 비트를 저장하기 위해 일반적으로 여섯 개의 트랜지스터를 필요로 한다.
원본 주소 "https://ko.wikipedia.org/wiki/정적_램"