CMOS: 두 판 사이의 차이
내용 삭제됨 내용 추가됨
Luckas-bot (토론 | 기여) 잔글 로봇이 더함: hi:सीएमओएस (CMOS) |
잔글 로봇이 바꿈: es:Complementary metal oxide semiconductor; 예쁘게 바꿈 |
||
1번째 줄:
[[
'''CMOS'''(Complementary metal–oxide–semiconductor, 시모스)는 [[집적 회로]]의 한 종류로, [[마이크로프로세서]]나 [[에스램|SRAM]] 등의 [[디지털 회로]]를 구성하는 데에 이용된다. '''상보성 금속 산화막 반도체'''(相補性 金屬 酸化膜 半導體)라는 용어도 통용된다.
5번째 줄:
P 채널과 N 채널의 [[전계효과 트랜지스터|MOSFET]]를 전원 전압 간에 직렬로 구성하고 입력은 두가지 MOSFET의 게이트에 같이 연결하고 출력은 두가지 MOSFET 드레인 사이에 연결한 [[집적 회로]]의 구조이다. 이 경우 각 MOSFET는 스위치로 간주될 수 있으며 같은 입력신호에 대하여 P 채널과 N 채널이 서로 반대로 동작하므로 전원전압과 접지사이에 기본적으로 흐르는 [[블리딩 전류|bleeding current]]가 거의 없어지므로 [[트랜지스터-트랜지스터 논리|TTL 논리 소자]]에 비해 소비 전력이 적은 [[논리 회로]]를 구현할 수 있고, 부하를 면적을 많이 차지하는 저항이 아닌 MOSFET를 사용하므로 집적도를 향상시킬 수 있다.
MOSFET의 동작 영역에서 직류 전달 특성은 선형 영역에서 출력 전압이 입력 전압과 거의 같고, 포화 영역에서 출력 전압은 게이트 전압에서 「문턱 전압」을 뺀 값이 된다. P-MOSFET가 포화 영역일 때 N-MOSFET는 선형 영역이고, N-MOSFET가 포화 영역일 때 P-MOSFET는 선형 영역이다. 시모스의 동작 영역의 대부분은 선형 영역이다. 엄밀하게 양자의
시모스 구조에서 게이트 전압에 입력되는 제어 펄스를 "1"에서 "0"으로 변경했을 경우에 노이즈 없이 이전의 출력을 할 수 있고, "0"에서 "1"로 변경했을 경우 역시 노이즈 없이 입력 신호를 출력할 수 있다.
69번째 줄:
== 그 밖의 예 ==
* 이미지 장치 분야에서는 [[시모스 이미지 센서]]를 줄여서 시모스라고 하는 경우가 있다. 기존에 대중화된 CCD를 대체하게 되었다.
* [[개인용 컴퓨터]]나 [[워크스테이션]]과 같은 작은 규모의 컴퓨터 세계에서 현재 시간이나 하드웨어 정보([[BIOS]]라고 함)를 보관하고 유지하기 위해 쓰이는 비휘발성 메모리를 시모스 램, 또는 단순히 시모스라고 하는 경우도 있고 보관되어 있는 데이터 자체를 시모스라고 하기도 한다. 예를 들어 「메인보드가 동작하지 않을 때 CMOS를 초기화한다」라는 표현이 사용된다.
== 같이 보기 ==
* [[시모스 이미지 센서]]
{{반도체}}
88번째 줄:
[[de:Complementary Metal Oxide Semiconductor]]
[[en:CMOS]]
[[es:Complementary metal oxide semiconductor]]
[[et:CMOS]]
[[eu:CMOS]]
|