2007년 5월 4일 (금) 20:10 판 편집 Simta (토론 \| 기여) 2,479 편집 잔글 →‎관련 항목 ← 이전 편집		2007년 5월 4일 (금) 20:11 판 편집 편집 취소 Simta (토론 \| 기여) 2,479 편집 →‎구조 다음 편집 →
1번째 줄: '''게이트 턴 오프 사이리스터''' (Gate Turn-Off thyristor; '''GTO''')는, [[반도체 소자]]의 일종으로서, 게이트에 역방향의 전류를 흐르게 하는 것으로 턴 오프할 수 있는 기능을 가진 [[사이리스터]]이다. ~~== 구조 ==~~ 사이리스터의 음극 전극을 분할해, 그 주위를 게이트 전극으로 둘러싸는 구조로 하는 것으로, 부의 게이트 전류를 흘렸을 때에 어노드·음극간의 캐리어 전류가 뽑아 내져서 싸지도록(듯이) 개량한 것이라고 생각하면 좋다. == 용도와 특징 ==

게이트 턴 오프 사이리스터: 두 판 사이의 차이