터널 다이오드: 두 판 사이의 차이
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'''에사키 다이오드'''(Esaki diode,Tunnel diode)는 [[반도체]] [[다이오드]]의 일종이다. 발명자의 이름인 에사키[江崎] 다이오드라고 부르며 터널 다이오드라고도 한다. 이 다이오드도 [[PN 접합]]을 이용하고 있는데, [[N형 반도체]]와 [[P형 반도체]] 두 영역의 첨가 불순물의 농도를 1019/cm3 정도 이상으로 높여 주면 두 영역 사이에서 터널효과, 즉 전류반송파의 [[양자역학]]적인 관통현상효과가 생겨 p-n 접합을 통한 전류반송파의 이동이 발생되며, 부성저항(전압은 증가하는 데 전류는 감소되는 특성)을 나타낸다.
순방향 전압을 늘려 가면 전류가 일단 늘어나서 마루를 이루었다가 줄어들어 골이 되고, 다시 늘어나 보통의 다이오드 특성에 가까워진다. 이 전류의 마루가 형성되는 까닭은 불순물이 많이 들어 있어서 접합부의 장벽이 얇아지고 양자역학적인 터널 효과에 의해 전류가 흐르기 때문이다. 이렇게 터널 효과를 이용하기 때문에 이 다이오드를 터널
마루와 골 사이의
== 같이 보기 ==
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