주요 공개 기록

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• 2024년 2월 3일 (토) 13:49 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 섬광등 문서를 만들었습니다 (새 문서: thumb|1909년의 섬광등과 1903년의 뷰 카메라 '''섬광등'''은 전류를 사용하여 플래시 파우더 연소를 시작하여 짧고 갑작스러운 밝은 빛을 발산한다. 20세기 초에는 주로 플래시 사진 촬영에 사용되었지만 다른 용도로도 사용되었다. 이전에는 아돌프 미테(Adolf Miethe)와 요하네스 게딕케(Johannes Gaedicke)가 1887년에 도입한 사진...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 13:44 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 신토 (동음이의) 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''신토'''는 아래와 같은 뜻을 함의하고 있다. * 신토: 일본의 민족종교 * 신토촌: 일본의 마을 * 신토 가쓰요시: 일본의 전 축구 선수 * 신토: 드래곤볼의 등장인물 * 힌두교신 시타의 일본식 발음 {{동음이의}})
• 2024년 2월 3일 (토) 13:41 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 샘플 기반 합성 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''샘플 기반 합성'''(Sample-based synthesis)은 감산 합성 또는 추가 합성과 대조될 수 있는 오디오 합성의 한 형태이다. 샘플 기반 합성의 주요 차이점은 시드 파형이 다른 유형의 합성에 사용되는 사인파 및 톱니파와 같은 기본 파형 대신 샘플링된 사운드 또는 악기라는 것이다. ==장점== 물리적 모델링 합성이나 추가 합성과 같은 다른 디지털 합성 방법에 비...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 13:39 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 프로 오디오 문서를 만들었습니다 (프로페셔널 오디오 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 13:39 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 프로페셔널 오디오 문서를 만들었습니다 (새 문서: thumb|다양한 라이브 오디오 제작 및 녹음 장비의 포터블 구성 '''프로페셔널 오디오'''(Professional audio) 또는 '''프로 오디오'''(Pro Audio)는 고품질 스튜디오급 오디오 장비의 활동 및 카테고리를 모두 의미한다. 일반적으로 이는 믹싱 콘솔, 녹음 장비 및 사운드 강화 시스템을 사용하여 라이브 이벤트 지원 및 녹음 작업을 수행하는 숙련된 사운드 엔...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 13:34 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 초순수 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''초순수'''(Ultrapure water, UPW), '''고순도수'''(high-purity water) 또는 '''고도로 정제된 물'''(highly purified water, HPW)은 매우 엄격한 사양에 따라 정제된 물이다. 초순수는 유기 및 무기 화합물(용해된 입자상 물질, 휘발성 및 비휘발성, 반응성 및 불활성, 친수성 및 소수성, 용해된 기체)을 포함한 모든 오염 물질 유형에 대해 물이 최고 수준의 순도...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 13:28 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 분류:반도체 장비 기업 문서를 만들었습니다 (새 문서: 분류:반도체 기업 분류:반도체 제조 en:Category:Equipment semiconductor companies)
• 2024년 2월 3일 (토) 13:20 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 분류:반도체 제조 문서를 만들었습니다 (새 문서: {{분류 설명}} 분류:반도체 소자 분류:전자공학 제조 분류:공정 분류:MOSFET en:Category:Semiconductor device fabrication)
• 2024년 2월 3일 (토) 13:17 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 로드 켈빈 문서를 만들었습니다 (제1대 켈빈 남작 윌리엄 톰슨 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 13:16 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 람다 점 문서를 만들었습니다 (람다점 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 13:16 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 람다점 문서를 만들었습니다 (새 문서: thumb|비열 용량 대 온도의 플롯이다. '''람다점'''(Lambda point)은 일반 유체 헬륨(헬륨 I)이 초유체 헬륨 II(1기압에서 약 2.17K)로 전환되는 온도이다. He-I와 He-II가 공존할 수 있는 최저 압력은 2.1768K(−270.9732°C) 및 5.0418kPa(0.049759atm)의 증기-He-I-He-II 삼중점이며, 이는 "포화 증기"이다. 그 온도에서의 압력(밀폐 용기 내 액체 표면 위에 열 평형 상...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 13:09 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 미세접촉 인쇄방법 문서를 만들었습니다 (마이크로접촉 프린팅 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 13:08 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 마이크로컨택트 프린팅 문서를 만들었습니다 (마이크로접촉 프린팅 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 13:08 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 마이크로접촉 인쇄 문서를 만들었습니다 (마이크로접촉 프린팅 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 13:08 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 마이크로접촉 프린팅 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''마이크로접촉 프린팅''', '''마이크로접촉 인쇄''', '''마이크로컨택트 프린팅''', '''미세접촉 인쇄방법'''(Microcontact printing 또는 μCP)은 마스터 폴리디메틸실록산(PDMS) 스탬프 또는 우레탄 고무 마이크로 스탬프의 릴리프 패턴을 사용하여 기판 표면에 잉크의 자기 조립 단층(SAM) 패턴을 형성하는, 나노 전사 인쇄(nTP)의 경우와 같은 등각 접촉을 통한 소프트 리소그래...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 13:03 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 소프트 리소그래피 문서를 만들었습니다 (새 문서: 200px|right|thumb|그림 1 - 스탬프 "잉크" 패턴이 있는 PDMS 스탬프를 에탄올과 ODT(옥타데칸티올) 용액에 넣는다. 200px|right|thumb|그림 2 - 솔루션의 ODT가 PDMS 스탬프에 고정된다. Stamp에는 이제 잉크 역할을 하는 ODT가 부착되어 있다. File:Soft lithography proc 3.svg|200px|right|thumb|그림 3 - ODT가 포함된 PDMS 스탬프가 금 기판에 배...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:59 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 포토마스크 문서를 만들었습니다 (새 문서: thumb|포토마스크 '''포토마스크'''(Photomask) 또는 간단히 '''마스크'''(mask)는 정의된 패턴으로 빛을 비추는 투명한 영역이 있는 불투명 판이다. 포토마스크는 집적 회로(IC 또는 "칩") 생산을 위한 포토리소그래피에서 일반적으로 사용되어 얇은 웨이퍼 재료(일반적으로 규소)에 패턴을 생성한다. 반도체 제조에서는 마스크를 '''레티...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:57 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 TEM 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''TEM'''은 아래와 같은 뜻을 함의한다. * TEM 베타-락타메이스(TEM beta-lactamase) * 투과전자현미경(Transmission electron microscopy) {{동음이의}})
• 2024년 2월 3일 (토) 12:56 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 투과 전자 현미경 문서를 만들었습니다 (투과전자현미경 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 12:55 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 투과전자현미경 문서를 만들었습니다 (새 문서: thumb|upright=1.5|투과전자현미경의 동작원리 '''투과전자현미경''' 또는 '''투과전자현미경법'''(Transmission electron microscopy, TEM)은 전자빔이 표본을 통과하여 이미지를 형성하는 현미경 또는 해당 기술이다. 표본은 대부분 두께가 100 nm 미만인 매우 얇은 부분이거나 그리드 위의 현탁액이다. 빔이 시료를 통과할 때 전자...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:51 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 저에너지 전자회절 문서를 만들었습니다 (저에너지 전자 회절 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 12:51 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 저에너지 전자 회절 문서를 만들었습니다 (새 문서: File:Si100Reconstructed.png|thumb|그림 1: Si(100) 재구성 표면의 LEED 패턴. 기본 격자는 정사각형 격자인 반면 표면 재구성은 2×1 주기성을 갖는다. 본문에서 논의된 바와 같이, 패턴은 서로 다른 결정학 축을 따라 방향이 지정된 대칭 등가 영역에 재구성이 존재함을 보여준다. 회절 반점은 반구형 형광 스크린에 탄성적으로 산란된 전자가 가속되어 생성된다. 또한 1차 전자...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:47 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 위글러 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''위글러'''는 다음 뜻을 함의한다. * 위글러 (마리오): 마리오 게임 시리즈의 등장인물 * 위글러 (JTAG): 매크리게이터 시스템스의 JTAG 도구 * 모기 유충의 다른 표현 * 위글러 (도구) == 같이 보기 == * 위글 {{동음이의}} en:Wiggler) 태그: 인터위키 추가 동음이의 링크
• 2024년 2월 3일 (토) 12:44 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 FEL 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''FEL'''은 아래와 같은 뜻을 함의한다. * 자유 전자 레이저(Free-electron laser) * 적하기(Front-end loader) {{동음이의}} en:FEL) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:44 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 자유전자레이저 문서를 만들었습니다 (자유 전자 레이저 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 12:44 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 자유 전자 레이저 문서를 만들었습니다 (새 문서: thumb|네덜란드의 자유 전자 레이저 FELIX '''자유 전자 레이저'''(Free-electron laser, FEL)는 매우 밝고 짧은 방사선 펄스를 생성하는 4세대 광원이다. FEL은 레이저와 같은 기능을 하지만 원자 또는 분자 여기로부터의 유도 방출을 사용하는 대신 상대론적 전자를 이득 매질로 사용한다. FEL에서는 전자 다발이 언듈레이터 또...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:37 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 분류:전자빔 문서를 만들었습니다 (새 문서: 분류:전자 en:Category:Electron beam)
• 2024년 2월 3일 (토) 12:36 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 전자빔 리소그래피 문서를 만들었습니다 (새 문서: thumb|전자빔 리소그래피 셋업의 예 '''전자빔 리소그래피'''(Electron-beam lithography, e-빔 리소그래피, EBL로 약칭)는 집중된 전자 빔을 스캐닝하여 레지스트(노출)라고 하는 전자 감응 필름으로 덮인 표면에 맞춤형 모양을 그리는 방법이다. 전자빔은 레지스트의 용해도를 변화시켜 레지스트를 용매에 담그어 레지스트의 노출 또는 비노출 영역을 선...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:34 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 포토리소그라피 문서를 만들었습니다 (포토리소그래피 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 12:33 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 WLP 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''WLP'''는 아래와 같은 뜻을 함의한다. * 웨이퍼 레벨 패키징(Wafer-level packaging) * 윈도우 로고 프로그램(Windows Logo Program) {{동음이의}} en:WLP) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:32 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 웨이퍼 레벨 패키징 문서를 만들었습니다 (새 문서: thumb|인쇄 회로 기판에 부착된 웨이퍼 레벨 패키지 '''웨이퍼 레벨 패키징'''(Wafer-level packaging, WLP)은 IC가 제조되는 웨이퍼가 절단되기 전에 패키징 구성 요소를 집적 회로(IC)에 부착하는 프로세스이다. WSP에서는 패키징의 상단 및 하단 레이어와 솔더 범프가 웨이퍼에 있는 동안 집적 회로에 부착...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:28 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 실리콘 온 인슐레이터 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''실리콘 온 인슐레이터'''(SOI, silicon on insulator)는 반도체 제조에서 층상 실리콘-절연체-실리콘 기판에 실리콘 반도체 장치를 제조하여 장치 내의 기생 용량을 줄여 성능을 향상시키는 기술이다. SOI 기반 장치는 실리콘 접합이 전기 절연체(일반적으로 이산화 규소 또는 사파이어) 위에 있다는 점에서 기존의 실리콘 기반 장치와 다르다(이러한 유형의 장치...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:24 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 센스 증폭기 문서를 만들었습니다 (감지 증폭기 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 12:24 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 분류:반도체 기술 문서를 만들었습니다 (새 문서: 분류:일렉트로닉스 분류:반도체 en:Category:Semiconductor technology)
• 2024년 2월 3일 (토) 12:24 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 감지 증폭기 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''감지 증폭기''' 또는 '''센스 증폭기'''(Sense amplifier)는 전자 시스템에서 작은 신호를 증폭하고 감지하는 데 사용되는 회로이다. 이는 일반적으로 DRAM(동적 랜덤 액세스 메모리)과 같은 메모리 회로에서 메모리 셀에 저장된 약한 신호를 읽고 증폭하는 데 사용된다. 현대 컴퓨터 메모리에서 감지 증폭기는 반도체 메모리 칩(집적 회로)의...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:20 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 분류:리소그래피 문서를 만들었습니다 (새 문서: {{분류 설명}} 분류:나노기술 분류:사진 현상 분류:석판인쇄 en:Category:Lithography (microfabrication))
• 2024년 2월 3일 (토) 12:20 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 EUV 리소그래피 문서를 만들었습니다 (극자외선 리소그래피 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 12:20 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 EUVL 문서를 만들었습니다 (극자외선 리소그래피 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 12:19 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 첨단 자외선 반도체 인쇄 기술 문서를 만들었습니다 (극자외선 리소그래피 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 12:19 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 극자외선 리소그래피 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''극자외선 리소그래피'''(Extreme ultraviolet lithography, EUVL, 단순히 EUV) 또는 '''첨단 자외선 반도체 인쇄 기술'''은 반도체 산업에서 집적 회로(IC) 제조에 사용되는 최첨단 기술이다. 극자외선(EUV) 빛을 사용해 실리콘 웨이퍼에 복잡한 패턴을 만드는 일종의 포토리소그래피이다. 2023년 현재 ASML 홀딩은 5nm 및 3nm 공정 노드를 대상으로 칩 생산용 EUV 시스템...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:17 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 포토리소그래피 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''포토리소그래피'''(Photolithography, 광학 리소그래피)는 집적 회로 제조에 사용되는 프로세스이다. 여기에는 빛을 사용하여 기판(일반적으로 실리콘 웨이퍼)에 패턴을 전사하는 작업이 포함된다. 이 공정은 포토레지스트라고 불리는 감광성 물질을 기판에 도포하는 것으로 시작된다. 그런 다음 원하는 패턴이 포함된 포토마스크를 포토레지스트 위에 놓는...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:13 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 에칭 (미세가공) 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''에칭'''(Etching)은 제조 과정에서 웨이퍼 표면의 층을 화학적으로 제거하기 위해 미세 가공에 사용된다. 에칭은 제조에서 매우 중요한 프로세스 모듈이며, 모든 웨이퍼는 완성되기 전에 많은 에칭 단계를 거친다. 많은 에칭 단계에서 웨이퍼의 일부는 에칭에 저항하는 "마스킹" 물질에 의해 에칭제로부터 보호된다. 일부 경우, 마스킹 재료는 포토리소그래피...) 태그: 인터위키 추가
• 2024년 2월 3일 (토) 12:09 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 윤대근 문서를 만들었습니다 (일락 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 12:06 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 코텍스-A8 문서를 만들었습니다 (ARM 아키텍처 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 12:04 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 송요한 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''송요한'''은 아래와 같은 의미를 내포한다. * 송요한: 슈퍼 시크릿의 등장인물 (지민의 계약자이자 흡혈귀) * 송요한 (감독): 검정고무신 시리즈의 미술감독 * 송요한: 카트라이더 팀 Flush의 참가 선수 {{동음이의}})
• 2024년 2월 3일 (토) 11:52 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 청결함 문서를 만들었습니다 (청결 문서로 넘겨주기) 태그: 새 넘겨주기
• 2024년 2월 3일 (토) 11:48 2001:e60:1043:e575:c1a7:ec58:98fb:44be 토론님이 송태석 문서를 만들었습니다 (새 문서: '''송태석'''은 아래와 같은 의미가 있다. * 송태석: 영화 《신의 한 수》의 등장인물 * 송태석: 영화 《석조저택 살인사건》의 등장인물 {{동음이의}})